以整體式比例調(diào)節(jié)型為例：

在通電前，須進(jìn)行外觀檢查和絕緣檢查，動(dòng)力回路（弧電回路）及信號觸點(diǎn)對外殼的絕緣，用500V兆歐表測不得低于20MΩ:信號輸人、輸出回路及它們與動(dòng)力回路之間的絕緣，除特-殊要求外，不應(yīng)低于l0mΩ合格后方可通電。在通電后，應(yīng)檢查變壓器、電機(jī)及電子電路部分元件等是否過熱，轉(zhuǎn)動(dòng)部件是否有雜音，發(fā)現(xiàn)異常現(xiàn)象應(yīng)立即切斷電源，查明原因。未查明原因前，不要輕易焊下元件。更換電子元件時(shí)，應(yīng)防止溫度過高，損壞元件。更換場效應(yīng)管和集成電路時(shí)一-定要把電烙鐵妥善接地，或脫離電源利用余熱進(jìn)行焊接。拆卸零部件、元器件或焊接導(dǎo)線時(shí)，應(yīng)做好標(biāo)記，對應(yīng)記號。應(yīng)盡公避免被檢設(shè)備的輸出回路開路，避免被檢設(shè)備在有輸人信號時(shí)停電。檢修后的設(shè)備須進(jìn)行校驗(yàn)。對干電動(dòng)機(jī)要檢查線圈對外殼及線圈之間的絕緣電阻，測皿線圈直流電組，清洗軸承并加潤滑油，檢查轉(zhuǎn)子、定子線圈及制動(dòng)裝；對于減速器要解體清洗各部件，檢查行星齒輪部分的情況，檢查斜齒輪部分的情況，檢查渦輪渦桿或絲桿螺母的嚙合情況，后進(jìn)行裝配、調(diào)整并加長效鏗基潤滑脂。對于位置傳感器部分要進(jìn)行外觀檢查，檢查電位器與行程控制機(jī)構(gòu)的同軸連接情況，檢查電位器的基本情況，檢查電位器及放大板之間的連接情況。

以在各種突發(fā)情況下的生產(chǎn)安-全性為例。

在大型管網(wǎng)系統(tǒng)中，閥門分布較廣或較遠(yuǎn)，為保證在各種突發(fā)情況下的生產(chǎn)安-全性，閥門需要具有現(xiàn)地?cái)嚯姾笫謩?dòng)關(guān)閉門，并同樣能夠在現(xiàn)地顯示及遠(yuǎn)程監(jiān)控閥門開度的功能，這就需要電動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)具有自備電池低功耗手動(dòng)模式，在現(xiàn)地?cái)嚯娗闆r下進(jìn)入手動(dòng)模式，利用自備電池可以不僅僅是現(xiàn)地顯示閥門開度，同時(shí)能夠提供遠(yuǎn)端閥門開度顯示起到遠(yuǎn)程監(jiān)控的作用。

低功耗手動(dòng)模式，涉及到低功耗液晶屏技術(shù)、低功耗CPU技術(shù)、低功耗數(shù)據(jù)采集、計(jì)算、處理及發(fā)送并低功耗電池供電技術(shù)，其中關(guān)鍵的是閥門開度傳感器需要選用全行程的絕-對值多圈編碼器。 實(shí)際上在手動(dòng)模式情況下，因變化響應(yīng)要求不高，MCU（微處理器）可以采取低功耗間隙式工作模式，也就是半休眠模式，這樣可以確保所耗功耗極低，自備電池容量能夠較長時(shí)間的使用。

當(dāng)選用低功耗半休眠模式的功能，閥門開度傳感器就要選用停電狀況下不影響位置記憶的傳感器，例如電位器或全行程多圈絕-對值編碼器。電位器的精度與測量行程有限，在電動(dòng)執(zhí)行器上的使用有兩種方法，一種是全行程用一次電位器行程（通過變速），斷電位置不會丟失，但是那樣精度很低；另一種是用多次電位器行程，位置精度是提高了，但是每次超出行程就要靠電子記憶實(shí)現(xiàn)，當(dāng)斷電后沒有了電子記憶位置，如果用電池實(shí)現(xiàn)記憶，需耗費(fèi)較多電池能量。如果用霍爾脈沖計(jì)數(shù)的方法，計(jì)數(shù)是實(shí)時(shí)不間斷的，斷電后用電池耗電記憶，電池容 量是不夠的。選用全行程多圈絕-對值編碼器，是這種模式可能實(shí)現(xiàn)的閥門開度傳感器，當(dāng)然，由于數(shù)據(jù)讀取時(shí)間極短而要保證數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，要求此編碼器的數(shù)據(jù)可靠性要求就很高了。有一些選用的絕-對值編碼器是單圈功能的，超出單圈需要用電子計(jì)圈記憶，其斷電后的因需要計(jì)圈記憶的耗電較大，不適合這種半休眠低功耗模式。

全行程多圈絕-對值編碼器采用RS485主動(dòng)模式發(fā)送數(shù)據(jù)，每隔8mS主動(dòng)發(fā)送一次，編碼器的通電啟動(dòng)時(shí)間極短，數(shù)據(jù)含兩種校驗(yàn)方式，可靠性高，由于是全行程多圈絕-對值編碼器，在總行程中的每一個(gè)位置是唯-一編碼的，與前次讀數(shù)無關(guān)而無需計(jì)數(shù)、計(jì)圈及記憶，所以可以采用間隙式通電、讀數(shù)的模式，比如每隔1—5秒時(shí)間，MCU主板間隙式工作一次（或兩次），每次工作時(shí)間僅幾十毫秒，快速實(shí)現(xiàn)啟動(dòng)、數(shù)據(jù)讀取、處理、發(fā)送的工作，其余時(shí)間處于休眠狀態(tài)，這就是“半休眠低功耗模式"。